ホウ素および窒素置換を含む炭化ケイ素（SiC:B_Si,N_C）、2×2×2 スーパーセル。
ホウ素および窒素置換を含む炭化ケイ素（SiC:B_Si,N_C）とは、結晶格子中でホウ素原子がケイ素サイト（B_Si）を、窒素原子が炭素サイト（N_C）を置換した炭化ケイ素を指します。これらの点欠陥は、高い熱伝導性、機械的強度、化学的安定性で知られるワイドバンドギャップ半導体 SiC の電子構造を変化させます。置換型ホウ素は一般にアクセプタとして働き、窒素はドナーとして機能するため、補償制御や共ドーピング戦略が可能になります。
SiC:B_Si,N_C は、電気特性の可変性、欠陥工学によるキャリア濃度制御、高温・高出力電子デバイスへの応用可能性の観点から、材料科学分野で活発に研究されています。ホウ素と窒素の共ドーピングは、電荷輸送、光吸収、再結合ダイナミクスに影響を与え、パワーエレクトロニクス、耐放射線部品、フォトニクス、量子欠陥工学などの応用において重要な材料となります。また、B_Si および N_C 欠陥は、格子ひずみや安定性への影響、さらにはセンシングや量子技術で注目されるカラーセンター形成における役割についても研究されています。
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