EEPROMライターのMEEPROMMERをEPROM用に改造するために28ピンのEPROMを調べてみました
Type | Size | Address | Program | VPP | Time |
---|---|---|---|---|---|
2764 | 8KByte | A0-A12 | VPP,PGM,CE | 21V | 50mS |
27128 | 16KByte | A0-A13 | VPP,PGM,CE | 21V | 50mS |
27C256 | 32KByte | A0-A14 | VPP,CE | 13V | 100uS |
27C512 | 64KByte | A0-A15 | CE,OE/VPP | 13V | ? |
だんだんアドレスピン増えて、使えるピンが無くなるので重層してます。512は無理やりな感じすらします。
SRAMの512Kビットは32ピンになっています。
最初の頃はNMOSのチップで後半はCMOSになります。
TIのTMS27C256の書き込みはVCCが6.5Vのようですが、STのM27C256は5VでOKのようです。
TMS27C256は5V/12Vでも書き込めました。
おそらくいろいろな仕様がありFlashになってからはCFIで情報が拾えるようにしたのかもしれません。
EEPROMの256ではVPPがなくなり128まであったPGMと同じ意味を持つWEがあります。
とりあえず手元に2764と27C256があるので、これをターゲットにします。
8Bitの頃はアドレス空間が64Kしかなかったので、27C256くらいまでが現実的な選択肢でした。
74HC595は8本使えるので、8x2で16ビット=64KByteまでは対応できます。
EPROMの頃は28ピンが一番良く使われたのではないか思われます。Flashになってからは64Kも32ピンになっています。EEPROMまでは28ピンがありましたが、Flashになってからは無かったと思われます。
EEPROMの28C256とEPROMの27C256はいくつかピンが違います。
50msecで8K書き込むと409秒かかります。
以前PLCC 32からDIP 28の変換基板を作りました。