トランジスターモデル。

トランジスターモデルを書いてみた。簡素化してみた。

個人的な図。　トランジスターのイメージ図。私なりの図ではあるが。Eエミッター内部に微量の抵抗があるから、コレクターから流れこむとベースから流れこむしきい値がダイオードと比べて微妙に上がらざるを得ない。通電面がベースより大きいから通電した時のcev電圧がvbeより小さくなるってことを書きたかった。　CEのギャップにBがあるから、安定通電まではhfeが上がっていき飽和が出ると100なら100で安定して領域を増やして行って100%になったら、弁が100%開く事になります。PNP,NPNダイオードが逆だが逆通電もさせられるベースでってのを書いた。細かくごちゃごちゃ書き足したので見にくくなった。
後、雑音は熱で、接合部を均一温度に保たせられると減るのではないか?で、モールド樹脂の伝熱率とか、考えた。