[メモ] STM32L1xx: 内蔵フラッシュメモリを壊す!(...ハズが...)

概要

• STM32L1系のFLASHの特定のところ消去、書き込みを繰り返し行い、どの程度で不良がでるか、を見たかったのだが。。

• だいぶ前にテストをおこなったのだが、一晩、二晩程度続けたくらいでは大丈夫だった。(ハズ..)

• データ保存に使用するのに、どの程度、耐えられるか知りたかったんだが、製品では、気にせず、使うことに。

• うまい テスト・手順・回数(日数)などあれば、コメントお願いします。

環境

• STM32L15xVC系

• Cortex®-M3, 256KB Flash, 32KB SRAM, 8KB EEPROM

• Reference manual:RM0038のProduct category definitionから、Cat.3のチップ。

• 内蔵フラッシュについて(Cat.3)

  • Page: 消去の単位
    • 256 Bytes: 計 1024 pages
  • Sector:
    • 0 ~ 31 sector: 16 pages = 4 KB
    • 32 ~ 64 sector: 256 pages = 64 KB
  • 書き込みは、WORD(32bit)単位

• Memory map (STM32L151xC STM32L152xCのデータシートの Memory mapより)
  

• FLASH関連の使用HAL API

  • 書き込み: HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)
  • 消去: HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
  • FLASHロック: HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void)
  • FLASHアンロック: HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void)

テスト内容

テスト1

1. テスト方法
   1. ページ消去
   2. データチェック(ALL 0x00 ?)
   3. ページ書き込み(256Bytes 0xFFで埋める)
   4. データチェック(ALL 0xFF ?)
   5. ループ
2. 結果... 普通に使えた(ハズ)

その他

• テストのソースコードは、見つかったら、載せる.