応用情報技術者平成30年春期 午前問10
NAND型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
１、フラッシュメモリは、
・電気的に書き換え可能であり、
・電源を切っても記憶内容が消えない不揮発性のメモリです。
２、NAND型フラッシュメモリは、
・USBメモリやSDカード及びSSD等の記憶媒体として使われているタイプで、
・NOR型フラッシュメモリよりも集積度に優れ、安価に大容量化できる特徴があります。
３、NAND型フラッシュメモリでは、
・データの書込み及び読出しはページ単位、
・データの消去はブロック単位（ページを複数まとめた単位）で行います。
４、NOR型フラッシュメモリと違い
NAND 型は
・データの書き込みが速く、
・ページ単位で書込み及び読出しを行う
・ランダムな読み出しが低速である
・主に「データストレージ」としての利用に適する
・PCやスマートフォン、デジタルオーディオプレーヤー、デジタルカメラなどの記憶媒体として使っている
・回路が小規模で高集積化が比較的容易であるため、容量あたりの単価が低く、大容量のデータ保存に向いています。そのため、先に挙げた電子機器とのデータ移動によく使用されるUSBメモリやSDカード、ノートPCなどに搭載されているSSDにもNAND型フラッシュメモリが採用されています。
NOR 型は
・比較的読み出し処理が高速
※NAND型フラッシュメモリがデータへ端から順にアクセスする(シーケンシャルアクセス)のに対し、NOR型フラッシュメモリでは、データのある場所がわかっていればそこに直接アクセス(ランダムアクセス)できます。
・NOR型は高集積化には向いておらず、容量あたりの価格はNAND型よりも高価になってしまいます。
・NOR型フラッシュメモリではプログラムをメインメモリ(RAM)にコピーすることなく直接実行できるという特徴も持ちます
・こういった理由から、NOR型フラッシュメモリは、ルータ、プリンタ、デジタルカメラ、GPS、車載機器、携帯電話などの、HDDが使用できない環境で、制御プログラムを保存、実行するための記憶装置として使用されています。
・読み込みが早く、信頼性が高い。１バイト単位で書込み及び読出しを行う。
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/documents/products/find/19-1j-13.pdf
補足
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
１、フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリ です。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位の書込みを行う従来のEEPROMとは異なりブロック単位での書き換えを行います。
２、
・高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
⇒SRAM(Static RAM)の説明です。
・紫外線で全内容の消去ができる。
⇒UV-EPROM(紫外線消去型EEPROM)の説明です。
・周期的にデータの再書込みが必要である。
⇒DRAM(Dynamic RAM)の説明です。
・ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
⇒フラッシュメモリの特徴です。
※ブロック単位：ページを複数まとめた単位
NAND型フラッシュメモリとは
https://news.mynavi.jp/article/20200331-1007032/