引用: ダイオード・トランジスタ回路入門 by 岡山努さん
6章のまとめ

ダーリントン接続はh_{FE}の大きなトランジスタを等価的に合成する手法です。合成h_{FE}は2つのトランジスタの電流増幅率の積になります。
純ダーリントン接続や順ダーリントン接続では、合成されたトランジスタの極性は初段のトランジスタと同じ極性になります。
低電圧動作させるときには準ダーリントン接続や初段プルアップの手法を用います。
集積化されたダーリントントランジスタはB-E間に抵抗を接続したものがあり、h_{FE}のコレクタ電流依存性が大きいトランジスタとなります。
pnpn構造のサイリスタはnpnとpnpトランジスタの組み合わせ回路として考えることができます。
IGBTはMOS-FETとh_{FE}の小さなpnpトランジスタの異種ダーリントン接続に近い特性をもちます。

http://blogs.yahoo.co.jp/denshiyorimichi/20871830.html >この本では、インバーテッド・ダーリントン接続を準ダーリントン接続と表現している

インバーテッドダーリントントランジスタ（準ダーリントン）は，たとえば，pnp初段Q1のコレクタを主トランジスタnpnトランジスタQ2のベースに接続して構成する。

ダーリントン接続とインバーテッドダーリントン接続の違い。
ダーリントン接続（以下純ダーリントン接続）は、NPNのトランジスタを2つ使う。
しかし、トランジスタにも電圧低下が0.7Vほどあり、2段構えると1.4V下がってしまう。
その点、インバーテッドダーリントン接続は、NPNとPNPを使う事により、一段目の0.7Vの降下だけで済む　だそうで。