最初のセンサ > フォトトランジスタの使用 > ブレッドボードで電圧測定 > 抵抗100Ωで最大330mV程度 > TOUTでAD取込してみた ##migrated

最初のセンサとして何がてっとり早いか。

http://qiita.com/azusa9/items/26e74e4e0d5773ce9c41
にてAD取込みの方法が紹介されている。

http://qiita.com/7of9/items/f74335021eff43857821
にて購入したフォトトランジスタがある。

ということでESP-8266のTOUTでフォトトランジスタの電流値をI-V変換して取込みをすることにした。

ただし、1Vを超えてはいけないので、下調べを再度する。

RPiの時は5VをNJL7502-Lに接続したが、今回は3.3Vを接続する。

抵抗1.1kΩでの測定

ブレッドボードで以下のように試してみた。

CR-123Aの3V側をNJL7502-Lのコレクタに接続
NJL7502-Lのエミッタ側に抵抗1.1kΩを接続
抵抗1.1kΩの電圧をデジボルで測定

以下となった

室内の蛍光灯 (21時現在) : 8.2mV
フラッシュライト[正面から] : 最大 2300mV

1Vを超えてしまう。

抵抗470Ωでの測定

I-V変換の電圧が高いので抵抗の値を落とした。470Ωに変更。

室内の蛍光灯 (21時現在) : 0.7mV
フラッシュライト[正面から] : 最大 330mV

今度は1V以内に収まる。これでAD取込をしてみる。

しかし抵抗の値を2.3倍程度落としたのに、電圧がそのx3ほど(6.9倍)落ちているのはなぜかよくわからない。

100Ωだった

TOUTでの取込み

上記の抵抗値は470Ωでなく100Ωだった。計算が合う。

ユニバーサル基板の実装に、NJL7502-Lと100Ωの抵抗をハンダ付けした。

http://qiita.com/azusa9/items/26e74e4e0d5773ce9c41
を参考にプログラムを以下とした。

151223photoTransistor.c

extern "C" {
#include "user_interface.h"
}

void setup() {
  Serial.begin(115200);
}

void loop() {
  uint ADC_Value = 0;

  ADC_Value = system_adc_read();

  Serial.println("AD:" + String(ADC_Value));
  delay(900);
}

以下のようになった

結果

AD:1
AD:2
AD:2
AD:2
AD:1
AD:1
AD:2
AD:1
AD:1
AD:2
AD:26
AD:34
AD:29
AD:32
AD:34
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1
AD:1

ADの値が2桁になっている時は、フラッシュライトで照らしている時。

AD取込ができた。

0.7mVと330mVでだいたい470倍だが、そうなっていないのは0.7mVの方が1より小さくなりすぎているのだろう。

次の段階としては、この取込値をWR2側に送る仕組みの作成。

写真

フォトトランジスタは基板の右上に接続した。緑色のもの。
I-V変換の抵抗はESP-WROOM-02の右下（プッシュスイッチの左下）に接続。
配置があやしくなってきた。